新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ

                新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ


                Quantum Design Japan公司推出的新一代高性能激光浮区法单晶炉(型号:LFZ-2kW)传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念,具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能,将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度!


                 

                应用领域


                新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ适用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。

                采用新一代高功率激光器,功率更高,温度梯度更加优化,可获得高质量单晶,适用于多种超导材料优质单晶生长

                新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备,尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作,跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比,Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势:


                ?  采用全新五束激光设计,确保熔区能量分布更加均匀 

                ?  更加科学的激光光斑优化方案,有助于降低晶体生长过程中的热应力

                ?  采用了独特的实时温度集成控制系统

                RIKEN(CEMS)设计的五束激光发生器原型机实物


                新一代激光浮区法单晶炉主要技术参数: 


                加热控制加热类型5束激光
                激光功率2KW
                熔区温度2600℃ ~ 3000℃*
                温度稳定性+/-1℃
                晶体生长控制      晶体生长最大设计长度150mm*
                晶体生长最大设计直径8mm*
                晶体生长最大速度/转速  300mm/hr; 100rpm
                样品腔可施加最大压力10bar
                样品腔气氛多种气路(O2/Ar/混合气等)可供选配
                晶体生长监控高清摄像头
                晶体生长控制PC控制

                *具体取决于材料及实验条件

                采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例:

                 

                Ruby


                Dy2Ti2O7


                BaTiO3



                 Sr2RuO4


                 SmB6


                 Ba2Co2Fe12O22



                Y3Fe5O12



                 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供


                哈尔滨工业大学

                天津理工大学

                东京大学

                日本国立材料研究所


                高质量单晶生长设备介绍

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